业界巨头台积电3nm细节公布:2.5亿晶体管/mm2 !

VR/AR
2020
04/21
14:15
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来源:新浪VR

近日,芯片制造业巨头台积电正式披露了其最新3nm工艺的细节。据官方表示,此次3nm工艺的晶体管密度达到了惊人的2.5亿/mm²!要知道,采用台积电7nm EUV工艺的麒麟990 5G尺寸是113.31mm²,而晶体管密度为103亿,平均下来就是0.9亿/mm²。所以,只要粗略估算一下,3nm工艺晶体管密度就是7nm的3.6倍至多!

在性能方面,台积电5nm较7nm显著提升了15%,而能耗也相应提升30%,而3nm较5nm则会在性能上继续提升7%,能耗提升15%。此外,台积电方面还表示,3nm工艺研发质量和进度完全符合预期,丝毫没有受到全球疫情影响,目前官方预计将在2021年进入风险试产阶段,顺利的话将于2022年下半年量产

在工艺上,台积电表示,在评估了多种选择后,公司内部认为现行的FinFET工艺在成本及能效上表现更加出色,所以3nm首发依然会使用FinFET晶体管技术。

值得一提的是,台积电的业内老对手三星本次也会押宝在3nm工艺上,所以对方无论在进度和技术选择方面都显得较为激进,据称他们将淘汰FinFET晶体管,转而直接使用GAA环绕栅极晶体管。

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