来源：新浪VR
近日，芯片制造业巨头台积电正式披露了其最新3nm工艺的细节。据官方表示，此次3nm工艺的晶体管密度达到了惊人的2.5亿/mm²！要知道，采用台积电7nm EUV工艺的麒麟990 5G尺寸是113.31mm²，而晶体管密度为103亿，平均下来就是0.9亿/mm²。所以，只要粗略估算一下，3nm工艺晶体管密度就是7nm的3.6倍至多！
在性能方面，台积电5nm较7nm显著提升了15%，而能耗也相应提升30%，而3nm较5nm则会在性能上继续提升7%，能耗提升15%。此外，台积电方面还表示，3nm工艺研发质量和进度完全符合预期，丝毫没有受到全球疫情影响，目前官方预计将在2021年进入风险试产阶段，顺利的话将于2022年下半年量产。
在工艺上，台积电表示，在评估了多种选择后，公司内部认为现行的FinFET工艺在成本及能效上表现更加出色，所以3nm首发依然会使用FinFET晶体管技术。
值得一提的是，台积电的业内老对手三星本次也会押宝在3nm工艺上，所以对方无论在进度和技术选择方面都显得较为激进，据称他们将淘汰FinFET晶体管，转而直接使用GAA环绕栅极晶体管。
